特色：EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

技術數據：EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱，可在最小的占位面積上提供了優于與其他品牌的掩模對準技術，并具有最高的產能，優良的對準功能和優化的總擁有成本。操作員友好型軟件，最短的掩模和工具更換時間以及高效的*服務和支持使它成為任何制造環境的理想解決方案。EVG6200 NT或安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統有半自動或自動配置，并配有集成的振動隔離功能，可在廣泛的應用中實現出色的曝光效果，例如薄和厚光刻膠的曝光，深腔和類似地形的圖案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導體）的加工。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。

EVG6200 NT特征：

晶圓/基板尺寸小到200 mm / 8''

系統設計支持光刻工藝的多功能性

在第一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH，在自動對準模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列

自動原點功能，用于對準鍵的精確居中

具有實時偏移校正功能的動態對準功能

支持最新的UV-LED技術

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統

自動化系統上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

最小化系統占地面積和設施要求

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

優良的軟件功能以及研發與全面生產之間的兼容性

便捷處理和轉換重組

遠程技術支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版

EVG6200 NT附加功能：

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻（NIL）

EVG6200 NT技術數據：

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

優良的對準功能

手動對準/原位對準驗證

自動對準

動態對準/自動邊緣對準

對準偏移校正算法

EVG6200 NT產能：

全自動：第一批生產量：每小時180片

全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米

對準方式：

上側對準：≤±0.5 µm

底側對準：≤±1,0 µm

紅外校準：≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對準：≤±2,0 µm

NIL對準：≤±3.0 µm

曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償：全自動軟件控制

曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光

系統控制

操作系統：Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

實時遠程訪問，診斷和故障排除

工業自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術：SmartNIL

EVG6200 NT/Gen2 掩模對準光刻系統是打通研發小試到規?；慨a的雙面光刻平臺，專為MEMS、化合物半導體、先進封裝、功率器件、微納光學等領域打造，最大支持 200mm（8 英寸）晶圓及碎片基板，可穩定處理薄脆、翹曲、異形等特殊基板，兼容硅、玻璃、藍寶石、碳化硅等多種材料。系統搭載動態對準 + 實時偏移校正算法，配合全自動無接觸楔形補償，在真空/硬/軟/接近/ 彎曲全模式曝光下，實現正面≤±0.5μm、背面≤±1μm 的高精度套刻，保障厚膠、深腔結構與復雜形貌的圖形轉移EV Group。

設備原生支持 EVG 專屬SmartNIL 納米壓印技術，一機覆蓋紫外光刻與 NIL 雙制程，大幅提升設備利用率與工藝拓展性EV Group。標配汞燈與新一代 UV-LED 雙曝光光源，能耗更低、波長更穩、壽命更長，適配更多光敏壓印材料。全自動模式下光刻產能高達 180WPH、對準模式 140WPH，短時間掩模 / 治具切換、靈活晶圓盒與返工分揀管理，顯著提升產線節拍、降低總擁有成本。

系統支持半自動→全自動平滑升級，兼容 SMIF/FOUP/SECS/GEM 工業通信標準，可無縫接入自動化產線，實現研發成果快速量產轉化。集成振動隔離結構，搭配防震花崗巖臺選項，在普通車間即可穩定運行；多語言 GUI、遠程診斷與分級用戶權限，兼顧高?？蒲械木氄{控與工廠量產的高效管控，以極小占地面積與優異可靠性，成為微納加工領域的理想掩模對準裝備EV Group。